硅棒晶棒晶錠BCT少子壽命測試儀

是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算

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廠商性質：生產廠家
更新時間：2026-09-12
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是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。

用途（高頻光電導）

用于硅、鍺單晶的少數載流子壽命測量，除需要有一個測量平面外，對樣塊

體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體

內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

2.設備組成

2.1光脈沖發生裝置

重復頻率＞25次/s 脈寬＞60μｓ光脈沖關斷時間＜1μｓ

紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）脈沖電流：5A～20A

測量系統不需要做表面鈍化就能直接測量單晶和多晶硅（錠或塊）的少子壽命.
是基于渦流傳感器和紅外光致光電導方法直接測量單晶或者多晶硅棒體少子壽命的設備，具有瞬態和準穩態兩種測量模式。該設備可探測3mm 深度范圍少子壽命，并能輸出不同載流子注入水平下的少子壽命值，可實現低電阻率硅單晶少子壽命測量，并能通過軟件端光強偏置實現單晶缺陷密度計算。